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パラメータ

材質：純モリブデン 99.95％以上
密度：10.2g/cc以上
融点：2610℃
お客様のご要望に応じて製造いたします。

優れた電気伝導性

高温に対する耐性

高い融点と優れた酸化・侵食耐性を有する。

技術仕様

原子番号	42
CAS番号	7439-98-7
原子質量	95.94 [g/mol]
融点	2620 °C
沸点	4639 ℃
20 °Cにおける密度	10.22 [g/cm³]
結晶構造	体心立方構造
20 °Cにおける線膨張係数	5.2 × 10 ^{マイナス6} [m/(mK)]
20 °Cにおける熱伝導率	142 [W/(mK)]
20 °Cにおける比熱	0.25 [J/(gK)]
20 °Cにおける電気伝導率	17.9 × 10 ⁶ [エス/エム]
20 °Cにおける比電気抵抗	0.056 [（Ωmm ² )/m]

化学的要件

要素	ニ	マグネシウム	フェ	鉛	アル	バイ	シー	カドミウム	カ	P
濃度（%）	0.003	0.002	0.005	0.0001	0.002	0.0001	0.002	0.0001	0.002	0.001
要素	C	オー	N	アンチモン	スン	モー
濃度（%）	0.01	0.003	0.003	0.0005	0.0001	バランス

品質と検査

アプリケーション

モリブデンのスパッタリングターゲットは、さまざまな基板上に薄膜を形成できます。このスパッタリング膜は、現在広く用いられているTFT-LCD（薄膜トランジスタ・液晶ディスプレイ）をはじめ、プラズマディスプレイ、無機発光ダイオードディスプレイ、場電子放出ディスプレイ、薄膜太陽電池、センサー、半導体デバイス、ならびに仕事関数が調整可能なCMOS（相補型金属酸化膜半導体）の電界効果トランジスタのゲートなど、電子部品や電子製品において広く利用されています。

キーワード

金属製品