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モリブデン スパッタリングターゲットの説明
電子機器産業において、モリブデンスパッタリングターゲットは主にフラットパネルディスプレイ、薄膜太陽電池の電極および配線材料、ならびに半導体のバリア層材料として使用されます。これらは、モリブデンの高い融点、高い電気伝導率、低い比抵抗、優れた耐食性および良好な環境特性に基づいています。
パラメーター
製造範囲（モリブデン回転スパッタリングターゲット）
| OD（mm） | ID（mm） | 長さ（mm） | カスタムメイド |
| Φ140～180mm | Φ125～Φ135mm | 100～3300 |
製造範囲（モリブデン平面スパッタリングターゲット）
| 長方形 | 長さ（mm） | 幅（mm） | 厚さ（mm） | カスタムメイド |
| 10 - 3000 | 10 - 800 | 1.0 - 50.8 | ||
| 円形 | 直径（mm） | 厚さ（mm） | ||
| 10 - 1000 | 1.0 - 100 |
仕様
| 材料 | モリブデン | 形状： | プレート |
| 純粋さ | 99.5％ | 密度： | 10.2g/cm³ |
| 色 | シルバー | 標準： | ASTM B386 |
| サイズ | カスタマイズされた | 表面： | 明るい |
| ハイライト | 99.95% モリブデンスパッタリングターゲット モリブデンスパッタリングターゲット 10.2g/cm³ モリブデン板 10.2g/cm³ |
||
| 構成 | モー（モ1、TZM） |
| 純粋さ | ≥99.95% |
| 密度 | 10.2g/cm³ |
| 粒径 | ≤100µm²または要望に応じて |
| 粗さ | Ra≤0.4μm |
| 平面度の公差 | <4μm |
注記：すべての仕様はお客様のご要望に応じてカスタマイズ可能です。
| 原子番号 | 42 |
| CAS番号 | 7439-98-7 |
| 原子質量 | 95.94 [g/mol] |
| 融点 | 2620 ℃ |
| 沸点 | 4639 °C |
| 20℃における密度 | 10.22 [g/cm³] |
| 結晶構造 | 体心立方 |
| 20℃における線膨張係数 | 5.2 × 10 -6 [m/(mK)] |
| 20℃における熱伝導率 | 142 [W/(mK)] |
| 20℃における比熱 | 0.25 [J/(gK)] |
| 20℃における電気伝導率 | 17.9 × 10 6 ［S/m］ |
| 20℃における比電気抵抗 | 0.056 [Ωmm] 2 )/m] |
アプリケーション
薄膜太陽光発電産業、太陽電池、表面工学
タッチコントロール産業、フラットパネルディスプレイ
半導体産業、マイクロエレクトロニクス、自動車用ライトおよび装飾コーティング、
コーティングガラス産業（建築用ガラス、自動車用ガラス、光学ガラスおよびその他のフィルムを含む）など。
キーワード
モリブデン製スパッタリングターゲット
薄膜太陽光発電産業、太陽電池、表面工学。
分類
WhatsApp：8615038522042
Email：sales@hypersolidmetal.com
Youtube：https://www.youtube.com/@hypersolidmetal/videos
洛陽国立大学科学パーク、
中国、洛陽市、澗西区、蓬萊路2号
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